国家存储基地3D闪存的新突破

本篇文章190字，读完约1分钟

1月2日，正在建设的国家储备基地雏形开始出现。武汉光谷基地在成功开发中国首个32层三维闪存芯片后，又取得了突破性进展，为三维闪存带来了前所未有的高性能输入输出、更高的存储密度和更短的产品发布周期。国家存储器基地以芯片制造为突破，集成了存储器产品设计、技术研发、晶片生产和测试以及销售。建成后，国家记忆基地将填补中国主流记忆领域的0+空白，为工业和经济的跨越式发展提供重要支撑。